□主要为化合物生长工艺设备，如GaAs、GaN等
□用 途：LED产业，以蓝宝石/SiC等为衬底外延生长GaN厚膜或晶体
□结构形式：垂直结构 / 水平结构
□工作能力：单片 / 三片（ 2～4英寸 ）
□设备组成：主机（反应室、加热体等）、真空及压力控制系统、计算机控制系统、气源/气柜系统、尾气处理等
□应 用：科研院所、大专院校及工厂，定制产品
HVPE系统主要技术指标：□立式（卧式）结构，合理可靠，满足客户工艺要求
□工艺片尺寸：2/4英寸（1片/3片）
□使用温度：最高1100℃，控温精度±1℃
□温区：四温区
□衬底可采用旋转方式，速度：20～100转/分
□气体采用进口质量流量计控制
□极限真空度：小于等于1Pa
□气路系统漏气率:＜2×10-9m3.Pa/S
□衬底升降速率：10～500um/h连续可调
欢迎索取相应详尽的技术资料及共研相应项目的解决方案
